第三代半導(dǎo)體作為后摩爾時代實現(xiàn)芯片性能突破的核心技術(shù)之一，我國第三代半導(dǎo)體已列入2030年國家新材料重大項目七大方向之一，正處于研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的關(guān)鍵期。根據(jù)規(guī)劃，到2025年我國將力爭實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體技術(shù)在全球居于領(lǐng)先地位，產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達到全球第一。
第三代半導(dǎo)體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料(禁帶寬度大于2.2ev)，也稱為高溫半導(dǎo)體材料。第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表。
第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢
第三代半導(dǎo)體作為后摩爾時代實現(xiàn)芯片性能突破的核心技術(shù)之一，受到資本熱捧，其應(yīng)用領(lǐng)域包括電動汽車、光伏等功率、5G射頻、手機快充等。
第三代半導(dǎo)體雖然是近期才火熱起來的概念，但實際上已經(jīng)悄然發(fā)展了多年。宏觀來看，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大約可以分為襯底-外延-器件-制造四大環(huán)節(jié)，其中襯底可理解為晶圓環(huán)節(jié)，外延是在襯底基礎(chǔ)上成長出合適的材料結(jié)構(gòu)用于后續(xù)設(shè)計，器件則類似芯片設(shè)計。第三代半導(dǎo)體的其中一個難點就在于襯底部分。
第三代半導(dǎo)體材料中，氮化鎵襯底的生長難度更大，而碳化硅的發(fā)展路線會更成熟，相關(guān)公司也較多。
商用較快的氮化鎵快充產(chǎn)業(yè)鏈，主要為硅基作為襯底、生長異質(zhì)的氮化鎵材料作為外延，以此進行產(chǎn)品設(shè)計;而發(fā)展很成熟的LED產(chǎn)業(yè)，此前也主要是以藍寶石材料作為襯底，采用異質(zhì)的氮化鎵材料作為外延，再進行相關(guān)顯示功能的設(shè)計。相比之下，碳化硅作為襯底，并以同質(zhì)的碳化硅襯底進行外延生長，再進行產(chǎn)品設(shè)計就是相對可行的路線，且目前碳化硅襯底再生長氮化鎵外延進行產(chǎn)品設(shè)計也在陸續(xù)推進過程中。
國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)業(yè)規(guī)模
科技部正式批復(fù)支持廣東省和江蘇省建設(shè)國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心。創(chuàng)新中心由深圳市政府、江蘇省政府共同支持建設(shè)，設(shè)置深圳平臺和江蘇平臺。
它將聚焦第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用突破，統(tǒng)籌全國優(yōu)勢力量為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供源頭技術(shù)供給，推動我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升。
今年深圳市政府工作報告已明確指出，將加快國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心等重大創(chuàng)新平臺建設(shè)。
4月19日，姑蘇城傳捷報。國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心江蘇平臺在蘇州工業(yè)園區(qū)正式揭牌，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院為建設(shè)實施單位。據(jù)悉，該園區(qū)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已培育了40多家上下游骨干企業(yè)，形成了完整的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。
我國第三代半導(dǎo)體已列入2030年國家新材料重大項目七大方向之一，正處于研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的關(guān)鍵期。根據(jù)規(guī)劃，到2025年我國將力爭實現(xiàn)第三代半導(dǎo)體技術(shù)在全球居于領(lǐng)先地位，產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達到全球第一;到2030年全產(chǎn)業(yè)鏈達到國際先進水平，核心器件國產(chǎn)化率超過70%。
2019年我國第三代半導(dǎo) 體 市 場 規(guī) 模 為 94.15 億 元 ， 預(yù) 計2019-2022年將保持85%以上平均增長速度，到2022年，市場規(guī)模將達到623.42億元。
第三代半導(dǎo)體國內(nèi)外差距相對較小，“新基建”等應(yīng)用驅(qū)動行業(yè)快速發(fā)展，市場空間廣闊。特別是在美國持續(xù)升級對我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)封鎖的大環(huán)境中，第三代半導(dǎo)體有望成為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突圍先鋒，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)將充分受益。第三代半導(dǎo)體碳化硅概念股如露笑科技、三安光電、聞泰科技、揚杰科技、北方華創(chuàng)、華峰測控、捷捷微電等。
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2020-2025年中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測研究報告
第三代半導(dǎo)體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬...
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2第三代半導(dǎo)體板塊逆勢走強 多家功率半導(dǎo)體廠商發(fā)布漲價通知
3今日第三代半導(dǎo)體板塊漲幅達2% 2021-2026半導(dǎo)體投資項目調(diào)研及市場前景預(yù)測
4新基建提速為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供新機遇 2021第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資前景預(yù)測
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