2023DRAM行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 7月DRAM平均固定交易價格環(huán)比下跌1.47%

• 黃文玉 2023年8月1日 來源：互聯(lián)網 1026 65
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動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導致數(shù)據(jù)毀損。

7月DRAM平均固定交易價格環(huán)比下跌1.47%

根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)顯示，7月DRAM平均固定交易價格環(huán)比下跌1.47%。 另外，7月PC用DRAM(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz)固定成交均價為1.34美元，同比下降53.47%。TrendForce表示，由于供應商和買家難以就價格達成一致，7月份簽署的PC DRAM合同數(shù)量減少。

動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象，導致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說，周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性，因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說，靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后，縱使不刷新也不會丟失記憶。

與SRAM相比，DRAM的優(yōu)勢在于結構簡單——每一個比特的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處理，相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故，DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。與大部分的隨機存取存儲器(RAM)一樣，由于存在DRAM中的數(shù)據(jù)會在電力切斷以后很快消失，因此它屬于一種易失性存儲器設備。

DRAM行業(yè)市場發(fā)展現(xiàn)狀分析

就全球存儲芯片定位而言，2021年DRAM占比全球儲存市場61%的市場份額。主要原因是DRAM屬于易失存儲器，多用與cpu緩存和圖像系統(tǒng)的幀緩存區(qū)，起到臨時儲存數(shù)據(jù)的功能，如遇斷電則數(shù)據(jù)則會丟失信息，更大的緩存空間代表同時可處理和儲存的數(shù)據(jù)更多，屬與電子設備必須的組成部分。

數(shù)據(jù)顯示，2021年三星、海力士、美光市占率依次為43%、28%、23%，合計占比達94%，南亞及其他企業(yè)占比總和企業(yè)僅為6%。國產替代而言，長鑫是大陸首家DRAM IDM廠商，2016年在合肥成立，規(guī)劃三期，產能共36萬片/月。

DRAM通常以一個電容和一個晶體管為一個單元排成二維矩陣。基本的操作機制分為讀和寫，讀的時候先讓Bitline(BL)先充電到操作電壓的一半，然后再把晶體管打開讓BL和電容產生電荷共享的現(xiàn)象，若內部存儲的值為1，則BL的電壓會被電荷共享抬高到高于操作電壓的一半，反之，若內部存儲的值為0，則會把BL的電壓拉低到低于操作電壓的一半，得到了BL的電壓后，在經過放大器來判別出內部的值為0和1。寫的時候會把晶體管打開，若要寫1時則把BL電壓抬高到操作電壓使電容上存儲著操作電壓，若要寫0時則把BL降低到0伏特使電容內部沒有電荷。

隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內部存儲器。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。主存即電腦內部最主要的存儲器，用來加載各式各樣的程序與數(shù)據(jù)以供CPU直接運行與運用。由于DRAM的性價比很高，且擴展性也不錯，是現(xiàn)今一般電腦主存的最主要部分。

根據(jù)中研普華產業(yè)研究院發(fā)布的《2022-2027年中國DRAM行業(yè)市場深度調研及投資策略預測報告》顯示：

DRAM三巨頭具備先發(fā)優(yōu)勢，目前產品最新標準迭代至DDR5，10nm以下制程待突破。傳統(tǒng)異步DRAM已被淘汰，讀/寫時鐘與CPU同步的SDRAM作為DRAM的升級成為主流，主要包括DDR/GDDR/LPDDR等，其中DDR已迭代至第五代(DDR5)，制程方面，10nm~20nm系列制程至少包括六代：1Xnm(16-19nm)/1Ynm(14-16nm)/1Znm(12-14nm)/1α/1β/1γ，10nm以下待突破。整體來看，國產企業(yè)長鑫仍存在一定差距。全球DRAM或Flash市場價格分為合約價和現(xiàn)貨價，價格走勢是跟蹤景氣變化的關鍵指標，合約價：ContractPrice，大客戶，價格按照協(xié)議合約走，定期議價，不受期間價格波動影響，占比約90%。

受下游智能手機和服務器等消費電子不斷擴容、IoT為代表的消費升級以及大數(shù)據(jù)云計算技術不斷突破的背景下，存儲器市場快速發(fā)展，同時因為硅價原材料高漲帶動價格上升，產業(yè)表現(xiàn)為明顯的量價齊升趨勢，數(shù)據(jù)顯示，2021年全球DRAM市場規(guī)模達949億美元，同比2020年增長41.6%。

數(shù)據(jù)顯示，截止2021年年底，全球DRAM產能約為150萬片/月，其中國產企業(yè)合肥長鑫已達到6萬片/月8 GB DDR4(19nm)，占比全球主要DRAM產能的4%。預計隨著2022年17nm DDR5投產，整體國產化水平將進一步推進。

DRAM市場未來發(fā)展趨勢預測

2023年5月，根據(jù)TrendForce最新公布的數(shù)據(jù)顯示，DRAM市場中，DDR5芯片現(xiàn)貨價格再次震蕩下行，DDR4、DDR3產品現(xiàn)貨價格繼續(xù)下跌，整體市場還未出現(xiàn)價格反彈的跡象。展望未來，廠商和貿易商需要繼續(xù)關注市場需求的發(fā)展變化，以及價格的波動情況，以適時調整自己的備貨策略。

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