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      存儲芯片下行周期有望見底 A股上市公司加速布局 機(jī)構(gòu):三季度存儲芯片平均單價(jià)有望上漲5%-10%

      • 曾燕 2023年9月9日 來源:互聯(lián)網(wǎng) 344 15
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      近期,存儲芯片大廠三星、SK海力士、美光公司等陸續(xù)控制產(chǎn)能、醞釀提價(jià),受到業(yè)界關(guān)注。對此,多位業(yè)內(nèi)人士表示,存儲芯片價(jià)格下行周期一般為1年至2年,本輪存儲芯片價(jià)格下行自2021年年中開始,結(jié)合各大廠自去年下半年起陸續(xù)下調(diào)產(chǎn)能計(jì)劃,存儲芯片下行周期逐漸走向尾聲

      存儲芯片下行周期有望見底 A股上市公司加速布局

      近期,存儲芯片大廠三星、SK海力士、美光公司等陸續(xù)控制產(chǎn)能、醞釀提價(jià),受到業(yè)界關(guān)注。對此,多位業(yè)內(nèi)人士表示,存儲芯片價(jià)格下行周期一般為1年至2年,本輪存儲芯片價(jià)格下行自2021年年中開始,結(jié)合各大廠自去年下半年起陸續(xù)下調(diào)產(chǎn)能計(jì)劃,存儲芯片下行周期逐漸走向尾聲。信息技術(shù)高速發(fā)展帶來數(shù)據(jù)存儲需求不斷增長,未來存儲芯片市場空間廣闊,在行業(yè)周期觸底之際,A股上市公司競相布局存儲芯片賽道。一方面,加快技術(shù)升級提升競爭力,另一方面,積極開拓市場增加市場份額,緊抓行業(yè)復(fù)蘇機(jī)遇。

      上市公司加速拓展市場

      目前全球主要的NAND Flash廠商為三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、SK海力士等,DRAM主要廠商為三星、SK海力士等。我國存儲芯片廠商目前所占市場份額較低。在全球存儲芯片周期低谷之中,多家A股上市公司逆勢布局,通過并購、定增等提升競爭力。

      9月6日,江波龍披露擬購買力成科技(蘇州)有限公司70%股權(quán)事項(xiàng)進(jìn)展。本次交易完成后,江波龍將通過控制及實(shí)際運(yùn)營力成科技(蘇州)有限公司新增存儲芯片封裝測試等業(yè)務(wù),補(bǔ)足公司封裝測試的生產(chǎn)能力,完善產(chǎn)業(yè)鏈布局。今年6月份,江波龍還宣布擬購買SMART Brazil及其子公司81%股權(quán),進(jìn)一步拓展當(dāng)?shù)厥袌觥?/p>

      江波龍近日在業(yè)績說明會上表示:“今年上半年公司業(yè)績有所承壓,但實(shí)際上從全球市場份額來看,公司市占率反而有所提升。未來,公司將聚焦于存儲產(chǎn)業(yè),不斷提升公司的市場影響力和核心競爭力,進(jìn)一步提升經(jīng)營管理水平,增強(qiáng)公司的長期盈利能力?!?/p>

      今年7月份,佰維存儲披露定增預(yù)案,擬募資不超過45億元,用于惠州佰維先進(jìn)封測及存儲器制造基地?cái)U(kuò)產(chǎn)建設(shè)項(xiàng)目、晶圓級先進(jìn)封測制造項(xiàng)目、研發(fā)中心升級建設(shè)項(xiàng)目、補(bǔ)充流動資金。

      佰維存儲方面表示:“本次定增將提升公司的存儲器封測產(chǎn)能并構(gòu)建晶圓級封測能力。當(dāng)前,國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)鏈屬于發(fā)展初期,挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存,公司此次定增有助于把握行業(yè)發(fā)展的歷史性機(jī)遇?!?/p>

      深科技方面近日在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時表示:“公司認(rèn)為隨著先進(jìn)封裝技術(shù)壁壘不斷提高,率先擁有先進(jìn)封裝技術(shù)和產(chǎn)能儲備的封測企業(yè)將有望通過技術(shù)和規(guī)模壁壘取得行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢。在存儲半導(dǎo)體領(lǐng)域,公司將緊跟存儲半導(dǎo)體行業(yè)市場和國內(nèi)外客戶需求,繼續(xù)加快擴(kuò)充優(yōu)質(zhì)產(chǎn)能,通過優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)發(fā)展新業(yè)務(wù),進(jìn)一步拓寬業(yè)務(wù)布局?!?/p>

      據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院出版的《2023-2028年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報(bào)告》統(tǒng)計(jì)分析顯示:

      HBM" 救場 " 存儲芯片巨頭財(cái)報(bào),三星電子存儲業(yè)務(wù)所在 DS 部門二季度虧損收窄,SK 海力士二季度銷售額超出分析師預(yù)期,公司表示,生成式AI 市場的擴(kuò)張已迅速推高了對 AI 服務(wù)器內(nèi)存的需求,因此,HBM3 和 DDR5 等高端產(chǎn)品的銷量增加。

      美光科技此前曾表示,AI 服務(wù)器對 DRAM 和 NAND 的容量需求分別是常規(guī)服務(wù)器的 8 倍和 3 倍。存儲芯片按照斷電后數(shù)據(jù)是否丟失,可分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。易失性存儲芯片常見的是 DRAM,非易失性存儲芯片常見的是 NAND 閃存芯片和 NOR 閃存芯片。

      存儲芯片往往被作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo),呈現(xiàn)出較強(qiáng)的周期性,行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大,在景氣度高漲時,各廠商擴(kuò)大產(chǎn)能以增加收入,易導(dǎo)致供應(yīng)過剩,而在景氣度下降時則收縮產(chǎn)能、降價(jià)清理庫存,最終導(dǎo)致市場供不應(yīng)求。

      半導(dǎo)體需求及價(jià)格持續(xù)滑落,造成南韓半導(dǎo)體大廠滿手庫存,據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),三星電子、SK海力士和東部高科,截至2023年第一季度末,半導(dǎo)體庫存總額已接近50兆韓元,創(chuàng)下有統(tǒng)計(jì)以來最高庫存金額歷史紀(jì)錄。

      產(chǎn)業(yè)市況低迷,對三星電子和SK海力士兩大廠商影響明顯,三星電子存儲業(yè)務(wù)的營收,連續(xù)三個季度季比及年比大幅下滑;SK海力士的營收也是連續(xù)三個季度季比及年比皆大幅下滑,去年四季度和今年一季度更出現(xiàn)了虧損。

      根據(jù)芯片資深從業(yè)人員透露,三星電子已經(jīng)通知了它的分銷商,將不再以低于當(dāng)前價(jià)格出售DRAM芯片。

      三星作為內(nèi)存龍頭企業(yè),它的DRAM價(jià)格如果可以停止下跌,那其它廠商大概率會效仿,比方說:中國龍頭企業(yè)的顆粒報(bào)價(jià)已經(jīng)從上周開始抬升。當(dāng)龍頭企業(yè)的價(jià)格已停止下跌時,或許還會有更多的廠商會效仿,那么現(xiàn)貨價(jià)格或許很快就能起穩(wěn),那漲價(jià)也是大概率事件。

      存儲芯片根據(jù)其性質(zhì)可劃分為不同的類型。按照掉電后數(shù)據(jù)是否可以繼續(xù)保存在器件內(nèi),存儲芯片可分為:掉電易失和掉電非易失兩種。

      易失存儲芯片主要包含:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)。像這次三星價(jià)格反彈的芯片,也就是這個動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)。

      非易失性存儲器主要包括:可編程只讀存儲器 (PROM),閃存存儲器(Flash)和可擦除可編程只讀寄存器(EPROM/EEPROM)等。

      在這么多種類種,目前主要由:DRAM 和 NAND Flash ,這兩種占據(jù)主要存儲芯片市場。

      據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù),22Q4 全球 DRAM 市場規(guī)模為121.55 億美元,主要被:三星、SK 海力士等三家巨頭壟斷,三家市場份額合計(jì)高達(dá) 95.8%。

      機(jī)構(gòu):三季度存儲芯片平均單價(jià)有望上漲5%-10%

      9月4日,研究機(jī)構(gòu)野村最新報(bào)告指出,第三季主要存儲芯片價(jià)格已趨穩(wěn)定或上升,價(jià)格較高的HBM、DDR5和LPDDR5X組合增加,使存儲芯片平均單價(jià)有望上漲5%-10%。但DDR4和NAND領(lǐng)域需求仍疲弱,因此野村預(yù)期,存儲芯片大廠第四季可能擴(kuò)大減產(chǎn),年底庫存有機(jī)會降至正常水準(zhǔn)。

      未來行業(yè)市場發(fā)展前景和投資機(jī)會在哪?欲了解更多關(guān)于行業(yè)具體詳情可以點(diǎn)擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的報(bào)告《2023-2028年中國存儲芯片行業(yè)市場競爭分析及發(fā)展預(yù)測報(bào)告》。由中研普華研究院撰寫,本報(bào)告對我國存儲芯片行業(yè)的供需狀況、存儲芯片發(fā)展現(xiàn)狀、存儲芯片子行業(yè)發(fā)展變化等進(jìn)行了分析,重點(diǎn)分析了存儲芯片行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、如何面對行業(yè)的發(fā)展挑戰(zhàn)、存儲芯片行業(yè)的發(fā)展建議、存儲芯片行業(yè)競爭力,以及行業(yè)的投資分析和趨勢預(yù)測等等。存儲芯片報(bào)告還綜合了行業(yè)的整體發(fā)展動態(tài),對行業(yè)在產(chǎn)品方面提供了參考建議和具體解決辦法。

      存儲芯片行業(yè)研究報(bào)告旨在從國家經(jīng)濟(jì)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手,分析存儲芯片未來的政策走向和監(jiān)管體制的發(fā)展趨勢,挖掘存儲芯片行業(yè)的市場潛力,基于重點(diǎn)細(xì)分市場領(lǐng)域的深度研究,提供對產(chǎn)業(yè)規(guī)模、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、區(qū)域結(jié)構(gòu)、市場競爭、產(chǎn)業(yè)盈利水平等多個角度市場變化的生動描繪,清晰發(fā)展方向。

      在形式上,存儲芯片報(bào)告以豐富的數(shù)據(jù)和圖表為主,突出文章的可讀性和可視性,避免套話和空話。報(bào)告附加了與行業(yè)相關(guān)的數(shù)據(jù)、存儲芯片政策法規(guī)目錄、主要企業(yè)信息及存儲芯片行業(yè)的大事記等,為投資者和業(yè)界人士提供了一幅生動的存儲芯片行業(yè)全景圖。


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