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      中國行業(yè)研究網(wǎng)行業(yè)分析
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      靶材市場多大 2021靶材行業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展前景趨勢深度分析報(bào)告

      • 2020年12月4日 zengyan來源:互聯(lián)網(wǎng) 531 29
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      靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān),隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn),靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。

      2021靶材行業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展前景趨勢深度分析報(bào)告

      靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān),隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進(jìn),靶材技術(shù)也應(yīng)隨之變化。鍍膜靶材是通過磁控濺射、多弧離子鍍或其他類型的鍍膜系統(tǒng)在適當(dāng)工藝條件下濺射在基板上形成各種功能薄膜的濺射源。簡單說的話,靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料,用于高能激光武器中,不同功率密度、不同輸出波形、不同波長的激光與不同的靶材相互作用時(shí),會產(chǎn)生不同的殺傷破壞效應(yīng)。例如:蒸發(fā)磁控濺射鍍膜是加熱蒸發(fā)鍍膜、鋁膜等。更換不同的靶材(如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等),即可得到不同的膜系(如超硬、耐磨、防腐的合金膜等)。

      根據(jù)中研研究院研究出版的《2020-2025年中國靶材市場發(fā)展現(xiàn)狀調(diào)查及供需格局分析預(yù)測報(bào)告》統(tǒng)計(jì)分析顯示:

      靶材市場多大 靶材市場需求分析

      各種類型的濺射薄膜材料在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來,濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展,極大地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如,在半導(dǎo)體集成電路制造過程中,以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線:在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中,各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展,有的已經(jīng)用于電腦及計(jì)算機(jī)的顯示器制造;在信息存儲產(chǎn)業(yè)中,磁性存儲器的存儲容量不斷增加,新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來越高的要求,需求數(shù)量也逐年增加。

      日本。就美國而言.約有50家中小規(guī)模的靶材制造商及經(jīng)銷商,其中最大的公司員工大約有幾百人。不過為了能更接近使用者,以便提供更完善的售后服務(wù),全球主要靶材制造商通常會在客戶所在地設(shè)立分公司。近段時(shí)間,亞洲的一些國家和地區(qū),如臺灣.韓國和新加坡,就建立了越來越多制造薄膜元件或產(chǎn)品的工廠,如IC、液晶顯示器及光碟制造廠。

      對靶材廠商而言,這是相當(dāng)重要的新興市場。中國靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展也是與日俱增,不斷的擴(kuò)大自己的規(guī)模和生產(chǎn)技術(shù),國內(nèi)一線生產(chǎn)制造靶材的品牌已經(jīng)達(dá)到國外最頂尖的技術(shù)水平。2010年,日本三菱公司就在中國臺灣地區(qū)建立了光碟塒靶材的生產(chǎn)基地,可以滿足臺灣50%的靶材需要。

      BCC(BusinessCommunicationsCompany,商業(yè)咨詢公司)最新的統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出,全球靶材市場將以8.8%的年平均增長率(AAGR)在今后的5年內(nèi)持續(xù)增長,估計(jì)銷售額將從1999年的7.2億美元增加到2004年的11億美元。靶材是一種具有高附加價(jià)值的特種電子材料,主要使用在微電子,顯示器,存儲器以及光學(xué)鍍膜等產(chǎn)業(yè)上,用以濺射用于尖端技術(shù)的各種薄膜材料。BCC的報(bào)告顯示:全球的上述產(chǎn)業(yè)在1999年使用了2.88百萬公斤靶材。換算為面積,則濺射了363百萬平方米的薄膜。而若以單位靶材來計(jì)算,全球在1999年則大約使用了37400單位的靶材。這里所要指出的是,隨著應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的不同,靶材的形狀與大小也有所差異,其直徑從15Gm到3m都有,而上述的統(tǒng)計(jì)資料,則是平均化后的結(jié)果。

      靶材行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域包括哪些

      1.微電子領(lǐng)域

      在所有應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是最苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出來.而互連線的寬度卻在減小。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細(xì)晶粒,這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。靶材的結(jié)晶粒子直徑和均勻性已被認(rèn)為是影響薄膜沉積率的關(guān)鍵因素。另外,薄膜的純度與靶材的純度關(guān)系極大,過去99.995%(4N5)純度的銅靶,或許能夠滿足半導(dǎo)體廠商0.35pm工藝的需求,但是卻無法滿足如今0.25um的工藝要求,而未米的0.18um}藝甚至0.13m工藝,所需要的靶材純度將要求達(dá)到5甚至6N以上。

      2.顯示器用

      平面顯示器(FPD)這些年來大幅沖擊以陰極射線管(CRT)為主的電腦顯示器及電視機(jī)市場,亦將帶動(dòng)ITO靶材的技術(shù)與市場需求。如今的iTO靶材有兩種.一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結(jié),一種是采用銦錫合金靶材。銦錫合金靶材可以采用直流反應(yīng)濺射制造ITO薄膜,但是靶表面會氧化而影響濺射率,并且不易得到大尺寸的臺金靶材。如今一般采取第一種方法生產(chǎn)ITO靶材,利用L}IRF反應(yīng)濺射鍍膜.靶材具有沉積速度快.且能精確控制膜厚,電導(dǎo)率高,薄膜的一致性好,與基板的附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)l。但是靶材制作困難,這是因?yàn)檠趸熀脱趸a不容易燒結(jié)在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作為燒結(jié)添加劑,能夠獲得密度為理論值的93%~98%的靶材,這種方式形成的ITO薄膜的性能與添加劑的關(guān)系極大。

      3.存儲用

      在儲存技術(shù)方面,高密度、大容量硬盤的發(fā)展,需要大量的巨磁阻薄膜材料,CoF~Cu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展,用它制造的磁光盤具有存儲容量大,壽命長,可反復(fù)無接觸擦寫的特點(diǎn)。如今開發(fā)出來的磁光盤,具有TbFeCo/Ta和TbFeCo/Al的層復(fù)合膜結(jié)構(gòu),TbFeCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr旋轉(zhuǎn)角達(dá)到58,而TbFeCofFa則可以接近0.8。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn),低磁導(dǎo)率的靶材高交流局部放電電壓l抗電強(qiáng)度。

      基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出顯著的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項(xiàng)替代性存儲器技術(shù),不過,在實(shí)現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一,便是缺乏能夠生產(chǎn)可進(jìn)一步調(diào)低復(fù)位電流的完全密閉單元。降低復(fù)位電流可降低存儲器的耗電量,延長電池壽命和提高數(shù)據(jù)帶寬,這對于當(dāng)前以數(shù)據(jù)為中心的、高度便攜式的消費(fèi)設(shè)備來說都是很重要的特征。

      未來靶材行業(yè)將如何發(fā)展?想要了解更多關(guān)于靶材行業(yè)具體詳情分析,可以點(diǎn)擊查看中研普華研究報(bào)告《2020-2025年中國靶材市場發(fā)展現(xiàn)狀調(diào)查及供需格局分析預(yù)測報(bào)告》

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