2023第三代半導(dǎo)體行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析報(bào)告

• 劉明月 2023年3月27日 來源：百度百科 中研網(wǎng) 814 49
• 繁體

未來第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)前景在哪?第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。第三代半導(dǎo)體材料可以實(shí)現(xiàn)更好的電子濃度和運(yùn)動(dòng)控制 ，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件

未來第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)前景在哪?第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性。第三代半導(dǎo)體材料可以實(shí)現(xiàn)更好的電子濃度和運(yùn)動(dòng)控制 ，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。目前，市場(chǎng)火熱的5G基站、新能源汽車和快充等都是第三代半導(dǎo)體的重要應(yīng)用領(lǐng)域。

2023第三代半導(dǎo)體行業(yè)前景及現(xiàn)狀分析報(bào)告

第三代半導(dǎo)體行業(yè)加速發(fā)展，新能源產(chǎn)業(yè)鏈為增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)核心競(jìng)爭(zhēng)力。盡管第三代半導(dǎo)體發(fā)現(xiàn)時(shí)間很早，但受制于成本和產(chǎn)業(yè)鏈不成熟等因素并未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商業(yè)化落地，2019年，以GaN-on-SiC等射頻器件的推廣，對(duì)設(shè)備開發(fā)，襯底和外延技術(shù)的推動(dòng)形成了正向反饋。同時(shí)Wolfspeed已完成8英寸SiC襯底片的流片，6英寸產(chǎn)業(yè)鏈大規(guī)模商業(yè)化落地已逐步成型。

我國(guó)發(fā)展第三代半導(dǎo)體也被寫入 " 十四五 " 規(guī)劃。規(guī)劃要求，要加強(qiáng)原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān)。其中，在集成電路層面，包括集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，集成電路先進(jìn)工藝和絕緣柵雙極型晶體管 ( IGBT ) 、微機(jī)電系統(tǒng) ( MEMS ) 等特色工藝突破，先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí)，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展。

全球范圍內(nèi)，美國(guó)、歐洲、日本、中國(guó)在第三代半導(dǎo)體發(fā)展上處于“四足鼎立”狀態(tài)。當(dāng)前，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展得如火如荼，在現(xiàn)代工業(yè)、通信等領(lǐng)域都有巨大的應(yīng)用前景。蘇州、長(zhǎng)沙、合肥、南昌等地都在布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園，希望提高在全球的競(jìng)爭(zhēng)力。

同時(shí)SiC功率器件廣泛用于新能源汽車、光伏、軌道交通等領(lǐng)域，未來市場(chǎng)增速能夠得到保證。同時(shí)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)也有多家企業(yè)布局SiC產(chǎn)業(yè)，未來市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局將持續(xù)深化。

預(yù)計(jì)27年市場(chǎng)空間將超過60億美元。僅碳化硅器件中的功率器件的市場(chǎng)規(guī)模將從2021年的10.90億美金增長(zhǎng)至2027年的62.97億美金，復(fù)合年增長(zhǎng)率約34%。

第三代半導(dǎo)體材料是指帶隙寬度達(dá)到2.0-6.0eV的寬禁帶半導(dǎo)體材料，包括了碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，是制造高壓大功率電力電子器件的突破性材料。相比硅基，SiC材料在熱導(dǎo)率、開關(guān)頻率、電子遷移率和擊穿場(chǎng)強(qiáng)均具備優(yōu)勢(shì)，因此SiC材料具備更高效率和功率密度。從產(chǎn)業(yè)鏈來看，襯底是價(jià)值鏈核心，在成本SICSBD器件中，襯底價(jià)值量占比達(dá)到47%。

從第三代半導(dǎo)體細(xì)分行業(yè)來看，新能源產(chǎn)業(yè)鏈和充電基礎(chǔ)設(shè)施將為增長(zhǎng)最快領(lǐng)域。SiC器件主要應(yīng)用在車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和主驅(qū)逆變器上。在2017年之前車載充電器主要以SiCSBD為主，而在2017年后SiCSBD和SiCMOSFET的方案已經(jīng)成熟。DC/DC轉(zhuǎn)換器也由SiMOSFET逐漸變成以SiCMOSFET為主。

近年來，以碳化硅、氮化鎵為主的第三代半導(dǎo)體材料需求爆發(fā)，成為資本市場(chǎng)追逐的對(duì)象。如今，以氧化鎵為代表的第四代半導(dǎo)體材料的閃亮登場(chǎng)，有望成為半導(dǎo)體賽道的新風(fēng)口，相關(guān)A股公司也已搶先布局。

SiC功率器件主要應(yīng)用于主驅(qū)逆變器、OBC、DC/DC車載電源轉(zhuǎn)換器和大功率DC/DC充電器領(lǐng)域。隨著未來800V電壓平臺(tái)推出，在大功率，大電流條件下減少損耗、增大效率和減小器件尺寸，電機(jī)控制器的主驅(qū)逆變器將不可避免從硅基IGBT替換為SiC基MOS模塊，存量替代市場(chǎng)空間巨大。特斯拉(Tesla)在2018年，將Model3車型的主驅(qū)動(dòng)逆變器中已經(jīng)使用了SiCMOSFET，將SiIGBT替換為。

SiC器件后，新能源汽車逆變器效率可以大幅提升，相同續(xù)航下對(duì)電池容量需求降低，以及實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)冷卻體積和重量的優(yōu)化，有效降低SiC器件本身帶來的成本增加。SiC功率器件主要應(yīng)用于主驅(qū)逆變器、OBC、DC/DC車載電源轉(zhuǎn)換器和大功率DC/DC充電器領(lǐng)域。隨著未來800V電壓平臺(tái)推出，在大功率，大電流條件下減少損耗、增大效率和減小器件尺寸，電機(jī)控制器的主驅(qū)逆變器將不可避免從硅基IGBT替換為SiC基MOS模塊，存量替代市場(chǎng)空間巨大。

碳化硅功率元件下游市場(chǎng)中以汽車為最大應(yīng)用，另外可再生能源、工業(yè)市場(chǎng)亦相當(dāng)重要，預(yù)計(jì)今年碳化硅功率元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到15.9億美元，至2026年可攀升至53.0億美元。第三代半導(dǎo)體下游市場(chǎng)則以消費(fèi)電子為主，數(shù)據(jù)中心與通訊以及后續(xù)的汽車應(yīng)用同樣頗具潛力，預(yù)計(jì)今年氮化鎵功率元件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到2.6億美元，至2026年可成長(zhǎng)至17.7億美元。

中國(guó)SiC、GaN電力電子器件主要應(yīng)用于新能源汽車、消費(fèi)類電源和工商業(yè)電源應(yīng)用。在消費(fèi)電子方面，GaN快充電源作為新應(yīng)用帶來較大的市場(chǎng)，小米、OPPO、華為等手機(jī)廠商相繼推出GaN快充。在新能源汽車方面，比亞迪、吉利、一汽集團(tuán)、江淮汽車、長(zhǎng)城汽車等車企都在新能源汽車中采用SiC。SiC電力電子器件正加速進(jìn)軍軌道交通領(lǐng)域。GaN射頻器件主要應(yīng)用在軍工雷達(dá)和5G基站，華為、諾基亞、中興的多數(shù)5G基站已采用GaN的PA器件。

我國(guó)第三代半導(dǎo)體整體產(chǎn)值超7100億元，2023年第三代半導(dǎo)體材料滲透率有望接近5%。2023年第一季度，中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)銷售額在下降8%的情況下，依舊是最大的半導(dǎo)體市場(chǎng)，占全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的29%。中國(guó)市場(chǎng)的恢復(fù)，必然會(huì)帶動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的回溫。

中研研究院出版的第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

一、中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模

二、中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展分析

三、中國(guó)第三代半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展分析

第三代半導(dǎo)體行業(yè)報(bào)告還對(duì)全球的行業(yè)發(fā)展態(tài)勢(shì)作了詳細(xì)分析，并對(duì)行業(yè)進(jìn)行了趨向研判，是經(jīng)營(yíng)企業(yè)，服務(wù)、投資機(jī)構(gòu)等單位準(zhǔn)確了解目前行業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)，把握第三代半導(dǎo)體行業(yè)企業(yè)定位和發(fā)展方向不可多得的精品，對(duì)中國(guó)及各子行業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r、上下游行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r、競(jìng)爭(zhēng)替代產(chǎn)品、第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)、新產(chǎn)品與技術(shù)等進(jìn)行了分析，并重點(diǎn)分析了中國(guó)行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r和特點(diǎn)，以及中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)將面臨的挑戰(zhàn)、企業(yè)的發(fā)展策略等。

第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)調(diào)研如何?中研研究院對(duì)該行業(yè)作了詳盡深入的分析，是企業(yè)進(jìn)行市場(chǎng)研究工作時(shí)不可或缺的重要參考資料，同時(shí)也可作為相關(guān)機(jī)構(gòu)進(jìn)行潛力分析、發(fā)展分析、投資分析等研究工作時(shí)的參考依據(jù)。更多行業(yè)具體詳情可以點(diǎn)擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的報(bào)告《2020-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告》。

• 相關(guān)深度報(bào)告REPORTS

  

  2023-2028年5G行業(yè)深度分析及投資戰(zhàn)略研究咨詢報(bào)告

  5G行業(yè)研究報(bào)告旨在從國(guó)家經(jīng)濟(jì)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手，分析5G未來的政策走向和監(jiān)管體制的發(fā)展趨勢(shì)，挖掘5G行業(yè)的市場(chǎng)潛力，基于重點(diǎn)細(xì)分市場(chǎng)領(lǐng)域的深度研究，提供對(duì)產(chǎn)業(yè)規(guī)模、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、區(qū)域結(jié)構(gòu)...

  查看詳情

延伸閱讀

推薦閱讀

猜您喜歡