車(chē)載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀 車(chē)載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用產(chǎn)能競(jìng)爭(zhēng)格局分析

• 2022年1月5日 ZhouXun來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng) 777 47
• 繁體

近一兩年的NOR Flash市場(chǎng)得到了飛速增長(zhǎng)。該增速主要得益于汽車(chē)電子和物聯(lián)網(wǎng)、5G和智能手機(jī)及其周邊(如TWS耳機(jī)和可穿戴式設(shè)備)等需求的推動(dòng)。小到汽車(chē)攝像頭大到高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)都對(duì)NOR Flash有大量需求。

近一兩年的NOR Flash市場(chǎng)得到了飛速增長(zhǎng)。該增速主要得益于汽車(chē)電子和物聯(lián)網(wǎng)、5G和智能手機(jī)及其周邊(如TWS耳機(jī)和可穿戴式設(shè)備)等需求的推動(dòng)。小到汽車(chē)攝像頭大到高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)都對(duì)NOR Flash有大量需求。到2021年僅在ADAS領(lǐng)域NOR Flash的市場(chǎng)空間就將達(dá)到6.7億美元。

根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《車(chē)載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用調(diào)研報(bào)告》顯示：

一、車(chē)載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局

存儲(chǔ)芯片是應(yīng)用面最廣、市場(chǎng)比例最高的集成電路基礎(chǔ)性產(chǎn)品之一。國(guó)外廠商憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)以及在終端市場(chǎng)的品牌優(yōu)勢(shì)，占據(jù)了大部分的市場(chǎng)份額。

NANDFlash的市場(chǎng)由三星、西數(shù)、鎧俠等6家企業(yè)壟斷。目前NANDFlash的發(fā)展方向是3D堆疊，國(guó)外先進(jìn)企業(yè)均已紛紛開(kāi)發(fā)出100層以上堆疊的NANDFlash。國(guó)產(chǎn)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)已宣布128層產(chǎn)品研發(fā)成功，與國(guó)外先進(jìn)企業(yè)的差距越來(lái)越小，已成為存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)自主化的中堅(jiān)力量。國(guó)內(nèi)還有SLCNAND的設(shè)計(jì)企業(yè)，包括北京君正、兆易創(chuàng)新等。

二、車(chē)載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀

三星電子、鎧俠、海力士、美光科技等專(zhuān)注于大容量的NANDFlash，目前SLCNAND其他供應(yīng)商主要為中國(guó)臺(tái)灣和大陸廠商包括華邦電子、旺宏電子、兆易創(chuàng)新等企業(yè)，其中華邦電子和旺宏電子占據(jù)了較高的市場(chǎng)份額，隨著國(guó)產(chǎn)化需求的不斷提高，國(guó)內(nèi)企業(yè)將迎來(lái)良好的發(fā)展契機(jī)。

SLCNAND的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)主要為提升產(chǎn)品制程以及提高產(chǎn)品的性能。在制程節(jié)點(diǎn)方面，SLCNAND領(lǐng)域成熟的工藝水平已經(jīng)達(dá)到1xnm，采用此工藝水平的產(chǎn)品已經(jīng)大量出貨，未來(lái)產(chǎn)品將進(jìn)一步微縮制程。

在產(chǎn)品性能方面，SLCNAND最重要的性能指標(biāo)是可靠性、功耗、數(shù)據(jù)傳輸速度等。目前SLCNAND擦寫(xiě)次數(shù)達(dá)到10萬(wàn)次，數(shù)據(jù)保存時(shí)間達(dá)到10年;在功耗方面待機(jī)電流達(dá)到10μA;在傳輸速度方面，當(dāng)前SLCNAND芯片的數(shù)據(jù)傳輸速率約為104MHz。未來(lái)SLCNAND芯片主要在降低成本和功耗、提升數(shù)據(jù)讀取速度、提升可靠性等方面進(jìn)行技術(shù)升級(jí)。

2022年，176層3D NAND或?qū)⒊蔀槭袌?chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的主旋律。當(dāng)前各大原廠的主力工藝在96層和128層，176層的產(chǎn)能占比約為5%，2022年，這個(gè)比重預(yù)計(jì)將進(jìn)一步提升，預(yù)計(jì)到2022年底176層NAND的產(chǎn)出比重將超過(guò)25%。由于NAND Flash堆疊層數(shù)的技術(shù)推進(jìn)，未來(lái)供應(yīng)商仍將持續(xù)追求推進(jìn)更高層數(shù)，以降低每GB的生產(chǎn)成本。因此，預(yù)期該產(chǎn)業(yè)的資本支出仍有增長(zhǎng)空間，供應(yīng)商同時(shí)開(kāi)始研發(fā)2XX層產(chǎn)品技術(shù)。

三、車(chē)載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用產(chǎn)能競(jìng)爭(zhēng)格局

近兩年來(lái)，三星和鎧俠在NAND Flash市場(chǎng)上的投資熱度不減，2020年三星位于中國(guó)西安二期1階段開(kāi)始投產(chǎn)，新建的二期第二階段項(xiàng)目也在2021年下半年竣工，而平澤P2工廠投資8兆韓元新建NAND Flash產(chǎn)線也在2021下半年開(kāi)始量產(chǎn)， 2021年三星產(chǎn)能增加明顯。

鎧俠與西部數(shù)據(jù)Fab6工廠在2021年持續(xù)提高NAND Flash Wafer產(chǎn)量，位于巖手縣北上市的新工廠K1已在2020年開(kāi)始少量投產(chǎn)， 2021年Wafer產(chǎn)量有明顯增加。此外，鎧俠四日市存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地北側(cè)正在新建Fab7工廠，第一階段建設(shè)計(jì)劃于2022年春季完成，還將在現(xiàn)有的K1工廠旁擴(kuò)產(chǎn)K2廠區(qū)，計(jì)劃2022年春季完成，未來(lái)3年內(nèi)，鎧俠與西部數(shù)據(jù)NAND Flash Wafer產(chǎn)能將呈持續(xù)增長(zhǎng)之勢(shì)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家存儲(chǔ)器項(xiàng)目總投資240億美元，分兩期建設(shè)3DNAND閃存晶圓廠。一期主要實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，并建成10萬(wàn)片月產(chǎn)能。二期項(xiàng)目追加產(chǎn)能20萬(wàn)片，建成后長(zhǎng)江存儲(chǔ)總產(chǎn)能將達(dá)30萬(wàn)片，預(yù)計(jì)到2023年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在全球3DNANDFlash產(chǎn)能中的占比將提高到10.8%，根據(jù)規(guī)劃2030 年長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃實(shí)現(xiàn)100萬(wàn)片月產(chǎn)能，進(jìn)一步提升自身全球市占率。

了解更多行業(yè)詳情，可以點(diǎn)擊查閱中研普華產(chǎn)業(yè)研究院的《車(chē)載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用調(diào)研報(bào)告》。

• 相關(guān)深度報(bào)告REPORTS

  

  2022年車(chē)載領(lǐng)域FLASH應(yīng)用調(diào)研報(bào)告

  本研究咨詢報(bào)告由中研普華咨詢公司領(lǐng)銜撰寫(xiě)，在大量周密的市場(chǎng)調(diào)研基礎(chǔ)上，主要依據(jù)了國(guó)家統(tǒng)計(jì)局、國(guó)家商務(wù)部、國(guó)家發(fā)改委、國(guó)家經(jīng)濟(jì)信息中心、國(guó)務(wù)院發(fā)展研究中心、國(guó)家海關(guān)總署、全國(guó)商業(yè)信息...

  查看詳情

延伸閱讀

推薦閱讀

猜您喜歡