2022年存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展前景及市場(chǎng)規(guī)模調(diào)查分析

• 2022年5月26日 ZouJunRong來源：互聯(lián)網(wǎng) 1016 64
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存儲(chǔ)器作為我國集成電路產(chǎn)業(yè)中占比最大的領(lǐng)域之一，勢(shì)必會(huì)在我國信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展中扮演極為重要的角色，而云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域的布局，集成電路相關(guān)政策的發(fā)布，更是為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了市場(chǎng)、政策等基礎(chǔ)。

存儲(chǔ)器發(fā)展趨勢(shì)、存儲(chǔ)器投資前景如何?存儲(chǔ)器作為我國集成電路產(chǎn)業(yè)中占比最大的領(lǐng)域之一，勢(shì)必會(huì)在我國信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展中扮演極為重要的角色，而云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域的布局，集成電路相關(guān)政策的發(fā)布，更是為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了市場(chǎng)、政策等基礎(chǔ)。

2022年存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展前景及市場(chǎng)規(guī)模調(diào)查分析

存儲(chǔ)器，顧名思義就是用來存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)指令和數(shù)據(jù)的器件，一般是由電磁元件和很多電子器件組成電路，達(dá)到存儲(chǔ)的目的。也是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。

概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中，一個(gè)沒有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器，如RAM、FIFO。

在系統(tǒng)中，具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器，如內(nèi)存條、TF卡等。在計(jì)算機(jī)的運(yùn)算過程中，輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都會(huì)保存在存儲(chǔ)器里，可以說存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)發(fā)展的核心部件之一。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院公布《2022-2027年中國存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)及投資風(fēng)險(xiǎn)研究報(bào)告》顯示

由于存儲(chǔ)器的種類繁多，但是有很多的共性，比如存儲(chǔ)器往往最小的存儲(chǔ)單位是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路，當(dāng)然了，也有的是一個(gè)CMOS晶體管或磁性材料存儲(chǔ)元。存儲(chǔ)量的增加其實(shí)就是存儲(chǔ)電路的疊加，很多存儲(chǔ)器形成了更多的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，這樣存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)量增加，可能導(dǎo)致存儲(chǔ)速度變慢，這本身就是一個(gè)矛盾的綜合體。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，存儲(chǔ)器在整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模中的占比超過三分之一，智能手機(jī)等消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量配置持續(xù)提升，數(shù)據(jù)中心對(duì)存儲(chǔ)耗用量也在持續(xù)提升，整體存儲(chǔ)位元的需求持續(xù)增長。

DRAM是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，存儲(chǔ)速度快、存儲(chǔ)容量大，在計(jì)算機(jī)中常作為主存儲(chǔ)器。三星展出的14納米DDR5內(nèi)存，是業(yè)內(nèi)首款基于14納米EUV技術(shù)的DRAM產(chǎn)品，容量可達(dá)512GB。與普通DDR4相比，功耗降低20%，頻率可達(dá)7200MHz，能滿足超級(jí)計(jì)算機(jī)、機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能等方面的需求，并通過提高性能和降低功耗，滿足IT行業(yè)對(duì)綠色發(fā)展的要求。

公開資料顯示，截止2021年，全球DRAM總產(chǎn)能大約是150萬片/月，預(yù)測(cè)到2022年底，會(huì)提升至160萬片/月左右。

近年來，中國陸續(xù)攻克了3D NAND Flash和DRAM技術(shù)。DRAM現(xiàn)在的發(fā)展按照產(chǎn)品分類分為DDR/LPDDR/GDDR和傳統(tǒng)型(Legacy/SDR)DRAM。NAND Flash的主流應(yīng)用為SSD等大容量存儲(chǔ)領(lǐng)域，使用MLC、TLC 2D NAND或3D NAND等。

目前市場(chǎng)上DRAM的應(yīng)用較為廣泛的制程是2Xnm和1Xnm。另外，NAND Flash的發(fā)展方向是3D堆疊，國外先進(jìn)企業(yè)均已紛紛開發(fā)出100層以上堆疊的NAND Flash。

從技術(shù)路線來看，全息光存儲(chǔ)被視為下一代光存儲(chǔ)技術(shù)。全息光存儲(chǔ)是一種高密度三維光存儲(chǔ)技術(shù)，采用與傳統(tǒng)二維存儲(chǔ)完全不同的機(jī)理。與目前存儲(chǔ)方式相比，全息光存儲(chǔ)技術(shù)將提供超過TB(太字節(jié))級(jí)的存儲(chǔ)容量，能夠滿足更大數(shù)據(jù)量的存儲(chǔ)需求，為數(shù)據(jù)的讀取提供更快的速度。

隨著智能制造的發(fā)展，我們的生活正在改變，圖像識(shí)別、語音識(shí)別、人機(jī)大戰(zhàn)、智能機(jī)器人、深度學(xué)習(xí)、自動(dòng)駕駛等應(yīng)用層出不窮，數(shù)據(jù)作為這些技術(shù)的核心力量，而存儲(chǔ)器的需求也處于爆炸式增長的階段。

存儲(chǔ)器行業(yè)研究報(bào)告旨在從國家經(jīng)濟(jì)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略入手，分析存儲(chǔ)器未來的政策走向和監(jiān)管體制的發(fā)展趨勢(shì)，挖掘存儲(chǔ)器行業(yè)的市場(chǎng)潛力，基于重點(diǎn)細(xì)分市場(chǎng)領(lǐng)域的深度研究，提供對(duì)產(chǎn)業(yè)規(guī)模、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、區(qū)域結(jié)構(gòu)、市場(chǎng)競(jìng)爭、產(chǎn)業(yè)盈利水平等多個(gè)角度市場(chǎng)變化的生動(dòng)描繪，清晰發(fā)展方向。

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