2023第三代半導體行業(yè)市場深度分析 推動第三代半導體相關(guān)領(lǐng)域創(chuàng)新發(fā)展

• 吳亞楠 2023年10月2日 來源：互聯(lián)網(wǎng) 558 31
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面對新形勢、新挑戰(zhàn)，我們需要在國家戰(zhàn)略引領(lǐng)下，匯集政府、企業(yè)、高校和研究機構(gòu)等多方力量共同推動汽車芯片和第三代半導體相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng)新發(fā)展，同時還需要加大研發(fā)投入，加強人才培養(yǎng)，搶占科技制高點。

第三代半導體市場未來發(fā)展態(tài)勢如何？第三代半導體材料具有較好的電子密度和運動控制能力，更適用于制造高溫、高頻、抗輻射和大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值。目前，市場熱點5G基站、新能源車和快速充電是第三代半導體的重要應(yīng)用場所。

新一代信息技術(shù)與工業(yè)化深度融合加快，為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)造巨大空間。如北京市順義區(qū)已初步形成從裝備到材料、芯片、模組、封裝檢測及下游應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)鏈布局，集聚了泰科天潤、國聯(lián)萬眾、瑞能半導體等產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)20余家。

半導體技術(shù)是多學科交叉融合的領(lǐng)域，當中涉及大量的隱性知識、技術(shù)經(jīng)驗和行業(yè)技術(shù)訣竅，其發(fā)展離不開應(yīng)用型人才和創(chuàng)新型人才的共同支撐。面對新形勢、新挑戰(zhàn)，我們需要在國家戰(zhàn)略引領(lǐng)下，匯集政府、企業(yè)、高校和研究機構(gòu)等多方力量共同推動汽車芯片和第三代半導體相關(guān)領(lǐng)域的創(chuàng)新發(fā)展，同時還需要加大研發(fā)投入，加強人才培養(yǎng)，搶占科技制高點。

光電子芯片解決數(shù)字技術(shù)，與微電子芯片共同構(gòu)成如今的數(shù)字經(jīng)濟。當前我們在高速光電子芯片領(lǐng)域仍面臨相當大的瓶頸，產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要注重人才培養(yǎng)，促進新型研究和產(chǎn)業(yè)研究做實際對接，才能真正解決產(chǎn)業(yè)需求的問題。

廣東省集成電路行業(yè)協(xié)會會長陳衛(wèi)提出建議：一是大灣區(qū)集成電路的發(fā)展要在國家集成電路產(chǎn)業(yè)布局中找準定位，堅持有所為有所不為;二是要加大產(chǎn)業(yè)鏈的補鏈力度，堅持國際合作，搶抓全球產(chǎn)業(yè)布局調(diào)整的契機和新興領(lǐng)域的機會;三是粵港澳大灣區(qū)要加強在人才培養(yǎng)、營商環(huán)境、政策協(xié)同協(xié)作和資源共享;四是要緊貼終端市場，推動集成電路產(chǎn)業(yè)鏈和汽車產(chǎn)業(yè)鏈雙鏈融合，響應(yīng)汽車產(chǎn)業(yè)變革對第三代半導體的需求。

在當前復雜的國際形勢下，半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨許多新的變化，這也是大國之間競爭的重要的手段，維護企業(yè)的供應(yīng)鏈安全至關(guān)重要，并且我們半導體企業(yè)應(yīng)該要考量風險，采取防范措施。

根據(jù)中研普華研究院撰寫的《2023-2028年半導體器件行業(yè)市場深度分析及發(fā)展策略研究報告》顯示：

2023第三代半導體行業(yè)市場深度分析

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體具有優(yōu)異性能，在信息通信、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域有巨大市場。

經(jīng)過多年努力，全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)正進入快速增長期。國際半導體照明聯(lián)盟主席、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導委員會主任曹健林表示：“以第三代半導體為代表的寬禁帶半導體，廣泛應(yīng)用于符合‘雙碳’目標的新能源、交通制造產(chǎn)業(yè)升級以及光電應(yīng)用場景，已成為推動諸多產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新升級的重要引擎?！辈芙×址治稣J為，我國發(fā)展第三代半導體已經(jīng)具備技術(shù)突破和產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展的基礎(chǔ)。與半導體相關(guān)的精密制造水平和配套能力快速提升，為相關(guān)裝備國產(chǎn)化打下堅實基礎(chǔ)。

由于第三代半導體材料和器件將引領(lǐng)高端電力裝備的顛覆性創(chuàng)新應(yīng)用，推動傳統(tǒng)電網(wǎng)向半導體電網(wǎng)發(fā)展。

我國發(fā)展第三代半導體也被寫入 " 十四五 " 規(guī)劃。規(guī)劃要求，要加強原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān)。其中，在集成電路層面，包括集成電路設(shè)計工具、重點裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，集成電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管 ( IGBT ) 、微機電系統(tǒng) ( MEMS ) 等特色工藝突破，先進存儲技術(shù)升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發(fā)展。

第三代半導體市場前景廣闊

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟等聯(lián)合發(fā)布倡議，聚焦重點市場需求，在新能源汽車、光伏儲能、新型顯示等領(lǐng)域推廣應(yīng)用基于第三代半導體材料的“綠色芯”“健康芯”;聚焦產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，共同組建創(chuàng)新聯(lián)合體，強化公共技術(shù)服務(wù)能力和標準化能力建設(shè)，形成產(chǎn)學研緊密合作、上下游鏈條打通、大中小企業(yè)共生發(fā)展的協(xié)同創(chuàng)新局面。

伴隨著 5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源等行業(yè)的迅速發(fā)展，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、熱導率、電子飽和速率及抗輻射能力的碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導體材料進入快速發(fā)展階段，市場前景廣闊。

中國國內(nèi) MOSFET 市場規(guī)模為 46.6 億美元，預計到 2025 年將達到 64.7 億美元，復合增長率為 8.55%，增速高于全球市場。

在激烈的市場競爭中，企業(yè)及投資者能否做出適時有效的市場決策是制勝的關(guān)鍵。半導體器件行業(yè)報告對中國半導體器件行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、競爭格局及市場供需形勢進行了具體分析，并從行業(yè)的政策環(huán)境、經(jīng)濟環(huán)境、社會環(huán)境及技術(shù)環(huán)境等方面分析行業(yè)面臨的機遇及挑戰(zhàn)。還重點分析了重點企業(yè)的經(jīng)營現(xiàn)狀及發(fā)展格局，并對未來幾年行業(yè)的發(fā)展趨向進行了專業(yè)的預判。

本報告同時揭示了第三代半導體市場潛在需求與潛在機會，為戰(zhàn)略投資者選擇恰當?shù)耐顿Y時機和公司領(lǐng)導層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供準確的市場情報信息及科學的決策依據(jù)，同時對政府部門也具有極大的參考價值。同時包含大量的數(shù)據(jù)、深入分析、專業(yè)方法和價值洞察，可以幫助您更好地了解行業(yè)的趨勢、風險和機遇。

想了解關(guān)于更多半導體器件行業(yè)專業(yè)分析，可點擊查看中研普華研究院撰寫的《2023-2028年半導體器件行業(yè)市場深度分析及發(fā)展策略研究報告》。

• 相關(guān)深度報告REPORTS

  

  2023-2028年半導體器件行業(yè)市場深度分析及發(fā)展策略研究報告

  半導體器件是導電性介于良導電體與絕緣體之間，利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件，可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號和進行能量轉(zhuǎn)換。半導體器件行業(yè)研究報告主要分析...

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