IGBT核心技術(shù)掌握在發(fā)達國家企業(yè)手中,跟國內(nèi)廠商相比,英飛凌、三菱電機等國際龍頭具有強勢的品牌效應。不過隨著國內(nèi)IGBT技術(shù)的發(fā)展,也涌現(xiàn)了比亞迪半導體、斯達半導等頭部企業(yè),具有較強的品牌效應。由于IGBT行業(yè)存在技術(shù)門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,集合了MOSFET開關速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關損耗小和BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點,能夠根據(jù)工業(yè)裝置中的信號指令來調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等,以實現(xiàn)精準調(diào)控的目的。
根據(jù)封裝形式的不同,可以分為IGBT單管和IGBT模塊,由一個IGBT芯片和一個FRD續(xù)流二極管芯片封裝組成的是IGBT單管,由多個IGBT芯片和多個FRD續(xù)流二極管芯片封裝組成的是IGBT模塊。
IGBT模塊產(chǎn)業(yè)鏈主要包括IGBT芯片設計、制造、模塊封測叁大部分,而根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋程度,可以行業(yè)分為IDM、Fabless和Foundry叁種運作模式。其中IDM模式覆蓋了芯片設計、制造、封測叁個部分;Fabless模式僅覆蓋了芯片的設計部分;Foundry模式則只覆蓋了制造、封測部分,不參與芯片設計環(huán)節(jié)。
近年來,中國IGBT行業(yè)受到各級政府的高度重視和國家產(chǎn)業(yè)政策的重點支持。國家陸續(xù)出臺了多項政策,鼓勵IGBT行業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新,《關于鞏固回升向好趨勢加力振作工業(yè)經(jīng)濟的通知》《關于加快培育發(fā)展制造業(yè)優(yōu)質(zhì)企業(yè)的指導意見》《基礎電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃(2021-2023年)》等產(chǎn)業(yè)政策為IGBT行業(yè)的發(fā)展提供了明確、廣闊的市場前景,為企業(yè)提供了良好的生產(chǎn)經(jīng)營環(huán)境。
IGBT作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。由于經(jīng)濟的飛速發(fā)展,我國能源需求量大幅上升,在節(jié)能減排政策的背景下,新能源發(fā)電、新能源汽車等節(jié)能效果明顯的產(chǎn)品近年來市場規(guī)模不斷擴大。
各電壓等級IGBT應用領域各不相同:在低壓領域:IGBT主要應用于變頻白色家電、新能源汽車、新能源充電樁等領域,隨著變頻家電和新能源汽車滲透率的逐步提升,帶動相關IGBT需求持續(xù)上升。在中壓領域:隨著信息產(chǎn)業(yè)與高端制造業(yè)的快速發(fā)展,新能源并網(wǎng)和電網(wǎng)工程建設工程逐步加強,我國工業(yè)逆變焊機、逆變頻器市場持續(xù)升溫,USB電源與新能源發(fā)電市場穩(wěn)步增長。在高壓領域:主要應用于軌道交通和電網(wǎng)傳輸領域,二者發(fā)展規(guī)模與投資規(guī)模持續(xù)增長。
IGBT核心技術(shù)掌握在發(fā)達國家企業(yè)手中,跟國內(nèi)廠商相比,英飛凌、三菱電機等國際龍頭具有強勢的品牌效應。不過隨著國內(nèi)IGBT技術(shù)的發(fā)展,也涌現(xiàn)了比亞迪半導體、斯達半導等頭部企業(yè),具有較強的品牌效應。由于IGBT行業(yè)存在技術(shù)門檻較高、人才匱乏、市場開拓難度大、資金投入較大等困難,國內(nèi)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)化進程中一直進展緩慢。
近年來我國IGBT市場規(guī)模不斷增長,據(jù)統(tǒng)計,截至2022年我國IGBT市場規(guī)模約為220.23億元,其中汽車IGBT領域市場規(guī)模約為77.24億元,工控及其他領域IGBT市場規(guī)模約為142.99億元。IGBT屬于高端的功率半導體器件領域,行業(yè)準入門檻高,我國IGBT產(chǎn)業(yè)起步較晚,但在政策的鼓勵下,我國IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,技術(shù)水平屢屢有新的突破,已有產(chǎn)品可以大批量滿足下游應用客戶的需求,提高IGBT器件國產(chǎn)替代率指日可待。
我國IGBT目前主要有封裝、IDM、Fabless叁種發(fā)展模式,核心芯片仍主要從國外進口,因而“中國芯”問題是IGBT量產(chǎn)的核心問題,據(jù)統(tǒng)計,截至2022年我國IGBT產(chǎn)量約為19198萬只,需求量約為74709萬只。
國產(chǎn)廠商目前鉚足了勁擴產(chǎn),憑借性價比、本土供應鏈便利性是很有可能趁機擴大市場份額的。
據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院《2024-2029年IGBT產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析報告》分析:
IGBT的發(fā)展,自1988年至今,已歷經(jīng)7次技術(shù)迭代。迭代方向主要集中在芯片面積和厚度逐年減小,功率損耗逐年降低,阻斷電壓等級逐年提升,向高穩(wěn)定性、高可靠性發(fā)展。
我國本土廠商進場較晚,缺乏豐富經(jīng)驗的技術(shù)人才,疊加貿(mào)易摩擦,導致中國IGBT產(chǎn)品在技術(shù)端嚴重滯后于國際巨頭的產(chǎn)品,目前國內(nèi)大部分供應商僅能實現(xiàn)在第四代、第五代進行量產(chǎn)。直到2021年,國內(nèi)功率半導體龍頭企業(yè)斯達半導,基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術(shù)的新一代車規(guī)級 650V/750V IGBT芯片研發(fā)成功,并通過客戶驗證,我國企業(yè)車規(guī)級IGBT才首次出現(xiàn)第七代產(chǎn)品。
從我國IGBT應用結(jié)構(gòu)情況來看,工業(yè)控制、新能源汽車、新能源發(fā)電已然是IGBT主要的應用領域。
受益于新能源汽車、新能源、工業(yè)控制等領域的需求大幅增加,IGBT成為目前發(fā)展最快的功率半導體器件之一。IGBT屬于高端的功率半導體器件領域,行業(yè)準入門檻高,我國IGBT產(chǎn)業(yè)起步較晚,但在政策的鼓勵下,我國IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速,技術(shù)水平屢屢有新的突破,已有產(chǎn)品可以大批量滿足下游應用客戶的需求,提高IGBT器件國產(chǎn)替代率指日可待。
報告對中國IGBT行業(yè)的內(nèi)外部環(huán)境、行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展狀況、市場供需、競爭格局、標桿企業(yè)、發(fā)展趨勢、機會風險、發(fā)展策略與投資建議等進行了分析,并重點分析了我國IGBT行業(yè)將面臨的機遇與挑戰(zhàn)。
想要了解更多IGBT行業(yè)詳情分析,可以點擊查看中研普華研究報告《2024-2029年IGBT產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析報告》。
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2024-2029年IGBT產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析報告
隨著IGBT行業(yè)競爭的不斷加劇,大型企業(yè)間并購整合與資本運作日趨頻繁,國內(nèi)外優(yōu)秀的IGBT企業(yè)愈來愈重視對行業(yè)市場的分析研究,特別是對當前市場環(huán)境和客戶需求趨勢變化的深入研究,以期提前占領...
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