中國光芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及國產(chǎn)化率情況分析：國產(chǎn)替代率存在明顯的分化

• 馮少杰 2024年1月24日 來源：中研網(wǎng) 347 15
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光芯片，作為半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游的核心元器件，已經(jīng)在通信、工業(yè)、消費等領域得到廣泛應用。這種芯片按照功能可以分為激光器芯片和探測器芯片，分別承擔發(fā)射信號和接收信號的任務。

激光器芯片主要用于發(fā)射信號，將電信號轉(zhuǎn)化為光信號。按照出光結構的不同，激光器芯片又可以分為面發(fā)射芯片和邊發(fā)射芯片。面發(fā)射芯片以VCSEL芯片為代表，而邊發(fā)射芯片則包括FP、DFB和EML芯片等。探測器芯片則主要用于接收信號，將光信號轉(zhuǎn)化為電信號，主要有PIN和APD兩類。

光芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

隨著移動互聯(lián)網(wǎng)和云計算的迅猛發(fā)展，光芯片作為實現(xiàn)數(shù)據(jù)中心內(nèi)部互聯(lián)及連接的核心器件，需求不斷攀升。隨著網(wǎng)絡架構的發(fā)展，所需光芯片數(shù)量成倍增加，且向高速率芯片轉(zhuǎn)移。隨著AI算力需求的增長趨勢確定，光芯片作為光模塊的核心器件有望深度受益。光芯片廠商有望在國產(chǎn)替代和技術創(chuàng)新趨勢下獲得高速增長。光芯片具有更大的附加價值量彈性，國產(chǎn)替代強預期，模塊廠商出海加持，高端光芯片需求量快速增長帶來導入窗口期，光芯片持續(xù)迭代帶來價值增量。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院《2023-2028年中國光芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢預測報告》顯示，隨著光通信需求的持續(xù)增長，光芯片市場正迎來快速發(fā)展的黃金時期。2021年市場規(guī)模約為107.5億元，同比增長16.3%。而在2022年，市場規(guī)模進一步擴大至123.4億元。更令人期待的是，中商產(chǎn)業(yè)研究院的分析師預測，到2023年，中國光芯片市場規(guī)模將達到141.7億元，成為全球增速最快的地區(qū)之一。

光芯片市場的蓬勃發(fā)展，不僅得益于國產(chǎn)化進程的加速，也得益于數(shù)據(jù)中心建設的持續(xù)繁榮。隨著云計算、大數(shù)據(jù)等技術的廣泛應用，數(shù)據(jù)中心已經(jīng)成為信息時代的核心基礎設施。而光芯片作為數(shù)據(jù)中心內(nèi)部互聯(lián)及連接的核心器件，其需求量自然水漲船高。同時，新數(shù)據(jù)中心的不斷涌現(xiàn)，也為光芯片市場提供了更為廣闊的發(fā)展空間。

光芯片國產(chǎn)化率情況分析

光芯片作為半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游的核心元器件，其在通信、工業(yè)、消費等眾多領域的應用不斷擴展。然而，各類光芯片的國產(chǎn)替代率存在明顯的分化，高端光芯片的國產(chǎn)替代率仍然較低。目前，國內(nèi)相關企業(yè)僅在2.5G和10G光芯片領域?qū)崿F(xiàn)了核心技術的掌握。

據(jù)統(tǒng)計，2021年2.5G及以下速率光芯片的國產(chǎn)化率約為90%，顯示出在較低速率光芯片領域，國內(nèi)企業(yè)已經(jīng)具備了較強的生產(chǎn)能力。然而，在10G光芯片領域，國產(chǎn)化率約為60%，意味著還有相當一部分性能要求較高、難度較大的10G光芯片仍需依賴進口。

更值得注意的是，2021年25G光芯片的國產(chǎn)化率約為20%，但25G以上光芯片的國產(chǎn)化率僅5%。這表明，在高速率光芯片領域，國內(nèi)企業(yè)的技術實力和生產(chǎn)能力仍有待提升。目前，高端光芯片市場仍以海外光芯片廠商為主。

盡管國產(chǎn)光芯片在高速率領域面臨著挑戰(zhàn)，但這也為國內(nèi)相關企業(yè)提供了巨大的機遇。隨著移動互聯(lián)網(wǎng)和云計算的快速發(fā)展，光芯片市場需求持續(xù)增長，尤其在高端市場。因此，國內(nèi)企業(yè)需要加大技術研發(fā)和產(chǎn)品創(chuàng)新的投入，提升自身在高端光芯片領域的競爭力，逐步實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

更多光芯片行業(yè)深度分析，請點擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布的《2023-2028年中國光芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢預測報告》。

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