2024年半導體存儲器行業(yè)競爭格局、行業(yè)政策及市場規(guī)模預測

• 郭夢 2024年2月26日 來源：互聯網 473 24
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作為電子設備的最大生產國和最大消費國，中國是存儲芯片最大的終端使用地，但國產存儲芯片目前占比較小，國產存儲行業(yè)有巨大的成長空間，國內存儲器廠商迎來巨大的發(fā)展機遇。

半導體存儲器件是半導體產業(yè)中的一個重要領域，半導體存儲器件的發(fā)展也對整個半導體產業(yè)的進步起到了關鍵性的作用?？梢哉f，半導體存儲行業(yè)是半導體產業(yè)不可或缺的一部分，半導體存儲器件得到了廣泛的應用，包括計算機、手機、智能家居、汽車等各個領域。半導體存儲器件根據存儲介質的不同分為閃存、DRAM、NAND、SRAM等多種類型。

半導體存儲分為易失性存儲芯片(RAM)、非易失性存儲芯片(ROM)和其他。常見的易失性存儲芯片有SRAM和DRAM， 非易失性存儲芯片包括FLASH(閃存)和ROM(只讀存儲器)，其中FLASH分為NAND FLASH和NOR FLASH兩種。

據中研普華產業(yè)院研究報告《2023-2028年中國半導體存儲器行業(yè)市場評估與未來發(fā)展機遇分析報告》分析：NAND Flash 和 DRAM 存儲器領域是半導體存儲器中規(guī)模最大的細分市場，規(guī)模均在數百億美元以上，合計占整個半導體存儲器市場比例達到 95%以上。

DRAM和NAND FLASH是半導體存儲器市場規(guī)模中最大的存儲器，2022年DRAM和NAND Flash占比分別達55%和 42%。根據CFM閃存市場數據，2022年，DRAM占半導體存儲器市場的55%，NAND FLASH占42%。此外，NOR FLASH隨著新興市場的崛起，市場空間將逐步恢復。

行業(yè)政策

在中國，半導體存儲行業(yè)依然處于起步階段。雖然在政策扶持下，中國的半導體產業(yè)得到了快速發(fā)展的機會，但是整個半導體產業(yè)鏈還沒有形成競爭力強的企業(yè)群體。目前，國內的半導體存儲制造商主要有長江存儲、華邦等企業(yè)。其中，長江存儲通過自主研發(fā)，推出了一系列儲存產品，并與英特爾聯手開發(fā)了儲存芯片，逐步成長為國內領先廠商之一。華邦則擁有世界頂尖的DRAM及汲取多年經驗后的分布式存儲技術，正在逐漸成為DRAM領域的廠商之一。

近年來，國家出臺一系列政策強化儲存芯片等集成電路行業(yè)市場化和產業(yè)化引導，加強重點領域核心技術短板重點突破和集中攻關，有利于推動行業(yè)標準化、健康化、創(chuàng)新化發(fā)展。國家集成電路產業(yè)基金多次強調支持集成電路產業(yè)龍頭企業(yè)的發(fā)展，將更大力度地支持集成電路制造業(yè)和特色集成電路發(fā)展，重點推進存儲器項目，大基金將存儲放在國家戰(zhàn)略高度推動。國家產業(yè)政策的支持促進了半導體存儲器行業(yè)的發(fā)展、增強了企業(yè)的自主研發(fā)能力、提高了國內半導體存儲器企業(yè)的整體競爭力。

據中研普華產業(yè)院研究報告《2023-2028年中國半導體存儲器行業(yè)市場評估與未來發(fā)展機遇分析報告》數據顯示

2023年，在全球經濟低迷和行業(yè)周期下行的壓力下，終端市場需求持續(xù)疲軟，以智能手機、PC、服務器等為代表的存儲市場需求持續(xù)萎縮，導致存儲器出貨量及價格大幅下滑。據Gartner報告顯示，2023年全球存儲器市場規(guī)模下降了37%，成為半導體市場中下降最大的細分領域。國內外存儲產業(yè)均承受巨大的經營壓力，龍頭企業(yè)如三星存儲、海力士、美光等均出現明顯虧損。

據 CFM 中國閃存市場數據顯示，2021年全球存儲市場規(guī)模達 1,620 億美元，其中 DRAM 為 945 億美元，同比增長 40%，NAND Flash為 675 億美元，同比增長 20%，行業(yè)出貨量大幅增加，量價齊升;2022 年下半年開始半導體存儲行業(yè)供需關系惡化，據 CFM 中國閃存市場數據顯示，2022 年全球半導體存儲市場規(guī)模 1,391.87億美元，同比下跌 15%;其中 NAND Flash 市場規(guī)模為 601.26 億美元，同比下跌 11%，DRAM 市場規(guī)模為 790.61 億美元，同比下跌 17%，產品價格大幅下滑。

根據CFM閃存市場數據，2022年DRAM市場規(guī)模整體約791億美元，位列數字存儲市場第一。近年來受益于數據資料中 心、智能手機、加密貨幣等市場需求，DRAM市場規(guī)?？傮w呈現上升趨勢，2019年由于前期擴產能和去庫存等因素，市 場規(guī)模有所下降。

存儲芯片行業(yè)集中度較高，在全球半導體存儲器行業(yè)格局中，少數廠商占據了大多數的市場份額，其中以三星、美光科技、海力士和鎧俠等企業(yè)在內的頭部廠商逐步形成了市場壟斷格局。

半導體存儲器行業(yè)競爭格局

當前，全球半導體存儲市場的產業(yè)競爭格局已經形成，市場占有率較大的公司主要有三家，分別是三星、英特爾和東芝。三星、美光和海力士三家壟斷DRAM市場，市場份額合計占比超過95%。產能規(guī)劃方面，三大原廠均已啟動減產。三星、美光、SK海力士分別下滑至77%、74%、82%，從供給端促進庫存去化，庫存逐漸回歸正常水位。

從“百花齊放”到“三國鼎立”，三星、鎂光、SK海力士成DRAM領域最終玩家，據Statista，2022年三家合計市場份 額達94%，分別為43.10%，27.72%和24.50%?？v觀DRAM發(fā)展歷史，產品以成本、技術、品質等為核心競爭要素，背 后需要企業(yè)在融資能力、產業(yè)鏈配套及人才梯隊等全方位儲備，考驗企業(yè)系統性的資源調動能力。

根據世界半導體貿易統計組織(WSTS)的數據，2022 年全球半導體市場規(guī)模為 5,735 億美元，比 2021 年增長了 3.2%。根據市場調研機構國際數據公司(International Data Corporation，IDC)發(fā)布的《數字化世界-從邊緣到核心》白皮書預測，全球數據總量將從 2018 年的 33ZB 增長至 2025 年的 175ZB。面臨數據的爆發(fā)式增長，市場需要更多的存儲器承載海量的數據。CFM 閃存市場數據顯示，2022 年全球存儲市場規(guī)模為 1,391.87 億美元。

未來半導體存儲器件市場規(guī)模預測

受全球宏觀經濟影響，2022年中國存儲芯片市場規(guī)模周期性下滑至828.4億美元;預計未來智能終端設備對數據存儲容量、穩(wěn)定性、壽命、運行速度等要求的提升，2027年市場規(guī)模將達到1,511.7億美元。

根據Gartner數據，2024年全球ADAS領域的NANDFlash存儲消費將達41.5億GB，2019年至2024年復合增速達79.8%。

根據WSTS數據，2023年全球存儲芯片市場規(guī)模約為840億美元，隨著存儲行業(yè)逐步復蘇，預計2024年將增長至1203億美元。

未來，隨著人工智能、物聯網、5G等新技術的廣泛應用，半導體存儲器件市場將得到進一步的擴大。國家對半導體產業(yè)的資金支持、稅收政策等方面給與了諸多支持，半導體產業(yè)整體處于快速增長的階段，并逐漸形成了跟全球領先的半導體企業(yè)競爭的態(tài)勢。未來，隨著全球化的競爭格局的加劇，中國的半導體產業(yè)發(fā)展必須更加注重創(chuàng)新和研發(fā)，向著高端制造和設計的方向發(fā)展，才能夠在行業(yè)中贏得更大的話語權。

欲了解更多關于行業(yè)相關數據及未來前景趨勢，可以點擊查看中研普華產業(yè)院研究報告《2023-2028年中國半導體存儲器行業(yè)市場評估與未來發(fā)展機遇分析報告》。

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